首頁>FS50R07N2E4B11BOSA1>芯片詳情

FS50R07N2E4B11BOSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - IGBT - 模塊 INFINEON/英飛凌

FS50R07N2E4B11BOSA1參考圖片

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 廠家型號：

    FS50R07N2E4B11BOSA1

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    INFINEON/英飛凌

  • 庫存數(shù)量：

    7000

  • 產(chǎn)品封裝：

    PZSDZ

  • 生產(chǎn)批號：

    23+

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-6 8:50:00

  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：FS50R07N2E4B11BOSA1品牌：INFINEON

FS50R07N2E4B11BOSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊。制造商INFINEON/Infineon Technologies生產(chǎn)封裝PZSDZ/模塊的FS50R07N2E4B11BOSA1晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點(diǎn)。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。

  • 芯片型號：

    FS50R07N2E4B11BOSA1

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FS50R07N2E4B11BOSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列：

    EconoPACK? 2

  • 包裝：

    托盤

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 配置：

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.95V @ 15V，50A

  • 輸入：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • NTC 熱敏電阻：

    是

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    模塊

  • 描述：

    IGBT MODULE 650V 70A 190W

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    天津市博通航睿技術(shù)有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    馬總

  • 手機(jī)：

    18322198211

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    18322198211

  • 地址：

    天津市南開區(qū)科研西路12號356室

相近型號