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FS200R07N3E4R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料

FS200R07N3E4R
廠商型號

FS200R07N3E4R

參數(shù)屬性

FS200R07N3E4R 封裝/外殼為模塊;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:IGBT MOD 650V 200A 600W

功能描述

EconoPACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and NTC
IGBT MOD 650V 200A 600W

封裝外殼

模塊

文件大小

532.92 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Infineon Technologies AG
企業(yè)簡稱

Infineon英飛凌

中文名稱

英飛凌科技股份公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-22 21:11:00

FS200R07N3E4R規(guī)格書詳情

FS200R07N3E4R屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FS200R07N3E4R晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    FS200R07N3E4RBOSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊

  • 系列:

    EconoPACK? 3

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 配置:

    三相反相器

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.95V @ 15V,200A

  • 輸入:

    標準

  • NTC 熱敏電阻:

  • 工作溫度:

    -40°C ~ 150°C

  • 安裝類型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    模塊

  • 描述:

    IGBT MOD 650V 200A 600W

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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