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FS05MR12A6MA1BBPSA1 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列 INFINEON/英飛凌

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原廠料號：FS05MR12A6MA1BBPSA1品牌：Infineon Technologies

原裝現(xiàn)貨,支持實(shí)單

FS05MR12A6MA1BBPSA1是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列。制造商Infineon Technologies生產(chǎn)封裝模塊的FS05MR12A6MA1BBPSA1晶體管 - FET，MOSFET - 陣列場效應(yīng)晶體管 (FET) 是使用電場控制電流流動(dòng)的電子器件。向柵極端子施加電壓會(huì)改變漏極端子和源極端子之間的電導(dǎo)率。FET 也稱為單極型晶體管，因?yàn)槠渖婕皢屋d流子類型的操作。也就是說，F(xiàn)ET 在操作中使用電子或空穴作為載流子，而不是同時(shí)使用兩者。場效應(yīng)晶體管通常在低頻下顯示出極高的輸入阻抗。

  • 芯片型號：

    FS05MR12A6MA1BBPSA1

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    INFINEON【英飛凌】詳情

  • 廠商全稱：

    Infineon Technologies AG

  • 中文名稱：

    英飛凌科技股份公司

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FS05MR12A6MA1BBPSA1

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

  • 系列：

    HybridPACK?

  • 包裝：

    管件

  • FET 功能：

    碳化硅（SiC）

  • 漏源電壓（Vdss）：

    1200V（1.2kV）

  • 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：

    200A

  • 安裝類型：

    底座安裝

  • 封裝/外殼：

    模塊

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    AG-HYBRIDD-2

  • 描述：

    HYBRID PACK DRIVE SIC AG-HYBRIDD

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納睿斯電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    寧先生

  • 手機(jī)：

    18681435519

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-23900189

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華航社區(qū)振興路154號上步工業(yè)區(qū)19棟上步工業(yè)區(qū)305棟4層4C09

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