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零件編號(hào)	下載&訂購(gòu)	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
FQU3N40	文件：717.46 Kbytes Page：9 Pages	400V N-Channel MOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithst	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU3N40	文件：330.43 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=400V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.4Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無(wú)錫固電無(wú)錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU3N40TU	文件：367.97 Kbytes Page：1 Pages	I-PAK Tube Packing Configuration	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FTK3N40D	文件：642.1 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N40I	文件：642.1 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3N40S	文件：689.67 Kbytes Page：6 Pages	400VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
HM3N40PR	文件：1.06582 Mbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
HM3N40R	文件：889.93 Kbytes Page：10 Pages	SiliconN-ChannelPowerMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 華之美半導(dǎo)體深圳市華之美半導(dǎo)體有限公司	HMSEMI
KF3N40D	文件：628.15 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N40D	文件：1.07632 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES ?LowGateChargeQgResultsinSimpleDriveRequirement ?ImprovedGate,AvalancheandDynamicdV/dtRuggedness ?FullyCharacterizedCapacitanceandAvalancheVoltageandCurrent ?ComplianttoRoHSdirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
KF3N40D	文件：936.93 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N40D/I	文件：936.93 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N40DI	文件：936.93 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N40I	文件：628.15 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N40I	文件：936.93 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2.2A ?D	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KF3N40W	文件：689.37 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR GeneralDescription ThisplanarstripeMOSFEThasbettercharacteristics,suchasfastswitchingtime,lowonresistance,lowgatechargeandexcellentavalanchecharacteristics.ItismainlysuitableforLEDLightingandswitchingmodepowersupplies. FEATURES ?VDSS(Min.)=400V,ID=2A ?Dra	KECKEC CORPORATION KEC株式會(huì)社	KEC
KQB3N40	文件：62.65 Kbytes Page：2 Pages	400VN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實(shí)業(yè)有限公司	KEXIN
KSMD3N40	文件：1.3519 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU3N40	文件：1.3519 Mbytes Page：8 Pages	400VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MDD3N40	文件：1.05505 Mbytes Page：7 Pages	N-ChannelMOSFET400V,2.0A,3.4(ohm)	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
FQU3N40
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫(kù)存	備注	價(jià)格
深圳市坤融電子科技有限公司	FQU3N40	FAIRCHILD/仙童	24+	TO-251	4000	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價(jià)
深圳市星佑電子有限公司	FQU3N40	仙童	05+	TO-251	5000	原裝進(jìn)口	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQU3N40	FAIRCHILD	24+	TO-251	8866		詢價(jià)
齊創(chuàng)科技(上海,北京,青島)有限公司	FQU3N40	原廠	23+	TO-251	5000	原裝正品,假一罰十	詢價(jià)
深圳市永貝爾科技有限公司	FQU3N40	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進(jìn)口原裝,終端工廠免費(fèi)送樣	詢價(jià)
深圳市華來(lái)深電子有限公司	FQU3N40	FAIRCHI	23+	TO-251	8560	受權(quán)代理!全新原裝現(xiàn)貨特價(jià)熱賣(mài)!	詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQU3N40	FAIRC	1822+	TO-251(IP	9852	只做原裝正品假一賠十為客戶做到零風(fēng)險(xiǎn)!!	詢價(jià)
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深圳市賽芯源科技有限公司	FQU3N40	FAIRC	18+	TO-251(IP	41200	原裝正品,現(xiàn)貨特價(jià)	詢價(jià)
中天科工半導(dǎo)體（深圳）有限公司	FQU3N40	FAIRCHILD	20+	TO-251	38900	原裝優(yōu)勢(shì)主營(yíng)型號(hào)-可開(kāi)原型號(hào)增稅票	詢價(jià)

更多FQU3N40供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 16:36:00

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