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FQU2N100中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQU2N100
廠商型號

FQU2N100

功能描述

1000V N-Channel MOSFET

文件大小

622.34 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

FAIRCHILD仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-6-11 23:00:00

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FQU2N100規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 1.6 A, 1000 V, RDS(on) = 9 ? (Max.)@ VGS = 10 V, ID = 0.8 A

? Low Gate Charge ( Typ. 12 nC)

? Low Crss ( Typ. 5 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQU2N100

  • 功能描述:

    MOSFET 1000V/1.6A/N-CH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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