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FQPF47P06中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQPF47P06
廠商型號

FQPF47P06

功能描述

P-Channel QFET? MOSFET -60 V, -30 A, 26 m廓

文件大小

1.32441 Mbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導體

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-28 13:17:00

FQPF47P06規(guī)格書詳情

Description

This P-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor?’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Features

? -30 A, -60 V, RDS(on)=26 mΩ(Max.) @VGS=-10 V, ID=-15 A

? Low Gate Charge (Typ. 84 nC)

? Low Crss (Typ. 320 pF)

? 100 Avalanche Tested

? 175°C Maximum Junction Temperature Rating

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQPF47P06

  • 功能描述:

    MOSFET 60V P-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

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