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FQU10N20	文件：787.25 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=0.36?(Max.)@VGS=10V ?LowGateCharge(Typ.13.5nC) ?LowCrss(Typ.13pF)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20	文件：331.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20	文件：788.66 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20C	文件：330.98 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20C	文件：549.66 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20C	文件：1.28335 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET200V,7.8A,360mOhm GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20C	文件：589.53 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20CTU	文件：549.66 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary, planarstripe,DMOStechnology. Features ?7.8A,200V,RDS(on)=360m?(Max.)@VGS=10V,ID=3.9A ?LowGateCharge(Typ.20nC) ?LowCrss(Typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20CTU	文件：342.91 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V APPLICATIONS ·MotorDrive,DC-DCConverter,PowerSwitch andSolenoidDrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20L	文件：330.56 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=7.6A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
FQU10N20L	文件：937.15 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FQU10N20L	文件：576.23 Kbytes Page：9 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
KEMD10N20C	文件：2.32825 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD10N20	文件：1.70728 Mbytes Page：8 Pages	200VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD10N20C	文件：2.33332 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET200V,7.8A,360m	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD10N20L	文件：2.04089 Mbytes Page：8 Pages	200VLOGICN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
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詳細(xì)參數(shù)

型號：
FQPF10N20T
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司	FQPF10N20功率三極管	FAIRCHILD/仙童	23+	TO220F	50000	全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨	詢價
深圳廊盛科技有限公司	FQPF10N20功率三極管	FAIRCHILD/仙童	2022	TO220F	80000	原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢	詢價
深圳市科芯源微電子有限公司	FQPF10N20功率三極管	FAIRCHILD/仙童	24+	TO220F	58000	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!	詢價
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司	FQPF10N50C	FAIRCHILD	19+	TO-220F	71820	原廠代理渠道,每一顆芯片都可追溯原廠；	詢價
貿(mào)澤芯城（深圳）電子科技有限公司	FQPF10N50C	FAIRCHILD/仙童	23+	TO-220	10000	原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種	詢價
深圳市順鑫晟科技有限公司	FQPF10N50C	FAIRCHILD	2024+	TO-220F	188600	全新原廠原裝正品現(xiàn)貨歡迎咨詢	詢價
深圳市勤思達(dá)科技有限公司	FQPF10N50CF	FAIRCHIL	2015+	TO-220F	12500	全新原裝,現(xiàn)貨庫存長期供應(yīng)	詢價
深圳市博浩通科技有限公司	FQPF10N50CF	FAIRCHIL	23+	TO-220F	8600	全新原裝現(xiàn)貨	詢價
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	FQPF10N50CF		2017+	TO-220F	28562	只做原裝正品假一賠十!	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FQPF10N50CF	FAIRCHILD	24+	TO-220F	8866		詢價

更多FQPF10N20T供應(yīng)商更新時間2025-1-12 11:00:00

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