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FQPF10N20中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQPF10N20
廠商型號(hào)

FQPF10N20

功能描述

200V N-Channel MOSFET

文件大小

777.64 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-31 17:10:00

FQPF10N20規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe, DMOS technology.

Features

? 6.8 A, 200 V, RDS(on)= 0.36 ?(Max.) @ VGS= 10 V

? Low Gate Charge (Typ. 13.5 nC)

? Low Crss (Typ. 13 pF)

? 100 Avalanche Tested

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQPF10N20

  • 功能描述:

    MOSFET 200V N-Ch MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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