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FQD8P10TM_F085中文資料雷卯電子數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD8P10TM_F085
廠商型號

FQD8P10TM_F085

功能描述

-100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET

絲印標識

AP15P10DXXXYYYY

封裝外殼

TO-252

文件大小

1.34872 Mbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd
企業(yè)簡稱

LEIDITECH雷卯電子

中文名稱

上海雷卯電子科技有限公司官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-20 23:00:00

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD8P10TM_F085

  • 功能描述:

    MOSFET 100V P-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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