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FQD2N100TM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FQD2N100TM
廠商型號(hào)

FQD2N100TM

功能描述

1000V N-Channel MOSFET

文件大小

736.58 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-3 23:00:00

FQD2N100TM規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 1.6 A, 1000 V, RDS(on) = 9 ? (Max.)@ VGS = 10 V, ID = 0.8 A

? Low Gate Charge ( Typ. 12 nC)

? Low Crss ( Typ. 5 pF)

? 100 Avalanche Tested

? RoHS Compliant

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQD2N100TM

  • 功能描述:

    MOSFET 1000V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
TO252
12048
原廠可訂貨,技術(shù)支持,直接渠道。可簽保供合同
詢價(jià)
FSC
2020+
TO-252
8000
只做自己庫(kù)存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
詢價(jià)
ON/安森美
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價(jià)
Tokmas(托克馬斯)
23+
TO252
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
12+B
TO-252
17500
詢價(jià)
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)
ON
23+
TO-252
28000
原裝正品
詢價(jià)
ONSEMI
22+
SMD
518000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
ON/安森美
23+
TO252
16316
正規(guī)渠道,免費(fèi)送樣。支持賬期,BOM一站式配齊
詢價(jià)
FAIRCILD
22+
TO-252
8000
原裝正品支持實(shí)單
詢價(jià)