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FQD1N80TF中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FQD1N80TF
廠商型號(hào)

FQD1N80TF
功能描述

N-Channel QFET MOSFET 800 V, 1.0 A, 20
文件大小

760.79 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

9 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

FAIRCHILD【仙童半導(dǎo)體】

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-5-29 22:38:00
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FQD1N80TF規(guī)格書(shū)詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor?’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Features

? 1.0 A, 800 V, RDS(on) = 20 ? (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 0.5 A

? Low Gate Charge (Typ. 5.5 nC)

? Low Crss (Typ. 2.7 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào)：

    FQD1N80TF

  • 功能描述：

    MOSFET 800V Single

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導(dǎo)通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風(fēng)格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
三年內(nèi)
1983
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