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FQD19N10中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD19N10
廠商型號

FQD19N10

功能描述

100V N-Channel MOSFET

文件大小

588.88 Kbytes

頁面數(shù)量

9

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-21 19:10:00

FQD19N10規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, audio amplifier, DC motor control, and variable switching power applications.

Features

? 15.6 A, 100 V, RDS(on) = 100 m? (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 7.8 A

? Low Gate Charge (Typ. 19 nC)

? Low Crss (Typ. 32 pF)

? 100 Avalanche Tested

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD19N10

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全稱:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    100V N-Channel MOSFET

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