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FQD17P06TM中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQD17P06TM
廠商型號

FQD17P06TM

功能描述

-60V P-Channel MOSFET

文件大小

1.11728 Mbytes

頁面數(shù)量

7

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二

更新時(shí)間

2024-11-8 19:10:00

FQD17P06TM規(guī)格書詳情

Description

This advanced MOSFET technology has been es pecially tailored

to reduce on-st ate resistance, and to provi de super ior sw itching

performa nce and high avala nche energy strength . These device s

are suitable for switched mode powe r supplies , audio ampl ifier,

DC motor control, and variable switching power applications.

Features

VDS (V) = -60V

ID = -12A (VGS = -10V)

RDS(ON) < 135mΩ (VGS = -10V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FQD17P06TM

  • 功能描述:

    MOSFET 60V P-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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