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FQD13N10中文資料無錫固電數據手冊PDF規(guī)格書

FQD13N10
廠商型號

FQD13N10

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

304.91 Kbytes

頁面數量

2

生產廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導體股份有限公司官網

原廠標識
數據手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-18 23:00:00

FQD13N10規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current -ID=10A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

產品屬性

  • 型號:

    FQD13N10

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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