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FQD11P06TM

P-channelEnhancementModePowerMOSFET

Features ?VDS=-60V,ID=-20A RDS(ON)

BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED

百域芯深圳市百域芯科技有限公司

FQD11P06TM

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

FQD11P06TM

P-ChannelQFET?MOSFET-60V,-9.4A,185m廓

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildísproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI11P06

60VP-ChannelMOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQI11P06

60VP-ChannelMOSFET

Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor?’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigh

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQP11P06

iscP-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQP11P06

60VP-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQPF11P06

60VP-ChannelMOSFET

GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導體飛兆/仙童半導體公司

FQU11P06

iscP-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent–ID=-9.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=-60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.185Ω(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforus

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

FQU11P06

P-Channel60-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

詳細參數(shù)

  • 型號：

    FQD11P06TF

  • 功能描述：

    MOSFET TO-250 DPAK P-CH 60V

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-252
47655
只做原廠渠道 可追溯貨源
 詢價
ON/安森美
24+
TO-252
505348
免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
 詢價
FAIRC
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣
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FAIRCHILD
24+
TO252
1068
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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16+
原廠封裝
10000
全新原裝正品,代理優(yōu)勢渠道供應,歡迎來電咨詢
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FAIRCHIL
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TO-252
90000
一級代理商進口原裝現(xiàn)貨、價格合理
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FSC/ON
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原包裝原封 □□
54600
原裝進口特價供應 QQ 1304306553 更多詳細咨詢 庫存
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FAIRCHI
2020+
TO-252
80000
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FAIRCHILD/仙童
23+
TO-252
30000
全新原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)勢
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更多FQD11P06TF供應商 更新時間2025-2-14 16:36:00

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