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FQB33N10LTM中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FQB33N10LTM
廠商型號(hào)

FQB33N10LTM

功能描述

N-Channel QFET MOSFET

文件大小

1.89098 Mbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-1-27 23:00:00

FQB33N10LTM規(guī)格書詳情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for low voltage applications such as high efficiency switching DC/DC converters, and DC motor control.

Features

? 33A, 100V, RDS(on) = 0.052? @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 30 nC)

? Low Crss ( typical 70 pF)

? Fast switching

? 100 avalanche tested

? Improved dv/dt capability

? 175°C maximum junction temperature rating

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FQB33N10LTM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
Fairchild(飛兆/仙童)
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NA/
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原裝正品支持實(shí)單
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