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FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

Description TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology.Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhig

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA9N90C

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·DrainCurrentID=9A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=900V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=1.4Ω(Max) ·100AvalancheTested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Highcurrent,highspeedswit

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

FQA9N90C

ThinkiSemi 9.0A,900V Planar N-Channel Power MOSFETs

THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd.

思祁半導(dǎo)體思祁半導(dǎo)體有限公司

FQA9N90C

900V N-Channel MOSFET;

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQA9N90C_F109

Power MOSFET, N-Channel, QFET?, 900 V, 9.0 A, 1.4 ?, TO-3P; ?9A, 900V, RDS(on)= 1.4Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4.5A柵極電荷低(典型值:45nC)\n?低 Crss(典型值14pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliantcompliant\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQA9N90C-F109

絲?。?strong>FQA9N90C;Package:TO-3PN;N-Channel QFET? MOSFET 900 V, 9 A, 1.4 Ω

Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETis producedusingONSemiconductor’sproprietaryplanar stripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFET technologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-state resistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceand highaval

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQA9N90C-F109

功率 MOSFET,N 溝道,QFET?,900 V,9.0 A,1.4 ?,TO-3P; ?9A, 900V, RDS(on)= 1.4Ω(最大值)@VGS = 10 V, ID = 4.5A柵極電荷低(典型值:45nC)\n?低 Crss(典型值14pF)\n?100% 經(jīng)過雪崩擊穿測試\n?符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)\n?RoHS compliantcompliant\n;

該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。這種先進(jìn)的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻,并提供卓越的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

FQA9N90C_06

900V N-Channel MOSFET

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司

技術(shù)參數(shù)

  • Compliance:

    Pb-freeHalide free

  • Status:

    ?Active??

  • Description:

    ?N-Channel QFET? MOSFET 900V

  • Channel Polarity:

    N-Channel

  • Configuration:

    ?

  • V(BR)DSS Min (V):

    900

  • VGS Max (V):

    ±30

  • VGS(th) Max (V):

    5

  • ID Max (A):

    9

  • PD Max (W):

    280

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ):

    1400

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC):

    45

  • Ciss Typ (pF):

    2100

  • Package Type:

    TO-3P-3LD / EIAJ SC-65

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
24+
模塊
6000
美國德州儀器TEXASINSTRUMENTS原廠代理輝華拓展內(nèi)地現(xiàn)
詢價(jià)
0N
24+
TO-3P
1150
原廠直供,支持賬期,免費(fèi)供樣,技術(shù)支持
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
25+
TO-3P
45000
FAIRCHILD/仙童全新現(xiàn)貨FQA9N90C即刻詢購立享優(yōu)惠#長期有排單訂
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FSC
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全新原裝的現(xiàn)貨
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FAIRCHILD原裝正品專賣
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TO-3P
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專注原裝正品現(xiàn)貨特價(jià)中量大可定
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FSC
16+
TO-247
8375
原裝現(xiàn)貨價(jià)格絕對(duì)優(yōu)勢(shì)Y
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FSC
23+
TO-3PN
56000
詢價(jià)
FAIRCHI
2021+
原廠原封裝
93628
原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 假一罰百
詢價(jià)
FAIRCHILD/仙童
24+
TO-3P-3L
3580
原裝現(xiàn)貨/15年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)歡迎詢價(jià)
詢價(jià)
FAIRCHI
21+
10560
十年專營,原裝現(xiàn)貨,假一賠十
詢價(jià)
更多FQA9N90C供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-7-31 14:03:00