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FPN630分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè)規(guī)格書PDF中文資料

FPN630
廠商型號(hào)

FPN630

參數(shù)屬性

FPN630 封裝/外殼為TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體;包裝為散裝;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個(gè);產(chǎn)品描述:TRANS PNP 30V 3A TO226

功能描述

PNP Low Saturation Transistor

封裝外殼

TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體

文件大小

47.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-11 18:15:00

FPN630規(guī)格書詳情

PNP Low Saturation Transistor

These devices are designed for high current gain and low

saturation voltage with collector currents up to 3.0 A continuous.

Sourced from Process PC.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FPN630

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個(gè)

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類型:

    PNP

  • 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 100mA,1A

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,2V

  • 頻率 - 躍遷:

    100MHz

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-226-3,TO-92-3 長(zhǎng)體

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-226

  • 描述:

    TRANS PNP 30V 3A TO226

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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