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FRL430D	文件：47.46 Kbytes Page：6 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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FRL430R	文件：47.46 Kbytes Page：6 Pages	2A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRM430	文件：49.17 Kbytes Page：2 Pages	SecondGenerationRadHardMOSFETResults	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導體股份有限公司	ISC
FRM430D	文件：48.05 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25M?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRM430H	文件：48.05 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25M?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRM430R	文件：48.05 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.50Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25M?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRS430D	文件：49.42 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.52Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRS430H	文件：49.42 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.52Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FRS430R	文件：49.42 Kbytes Page：6 Pages	3A,500V,2.52Ohm,RadHard,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheIntersilCorporationhasdesignedaseriesofSECONDGENERATIONhardenedpowerMOSFETsofbothNandPchannelenhancementtypeswithratingsfrom100Vto500V,1Ato60A,andonresistanceaslowas25m?.Totaldosehardnessisofferedat100KRAD(Si)and1000KRAD(Si)withneutro	Intersil Intersil Corporation	Intersil
FSAV430	文件：1.14404 Mbytes Page：11 Pages	LowVoltageUltraLowPowerHighBandwidth(1.1GHz)QuadSPDTVideoSwitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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FSAV430	文件：909.54 Kbytes Page：12 Pages	LowVoltage1.1GHz,4-Channel,2:1VideoSwitch	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
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詳細參數(shù)

型號：
FPN430_Q
功能描述：
兩極晶體管 - BJT PNP Transistor Low Saturation
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
PNP 集電極—基極電壓
VCBO：
集電極—發(fā)射極最大電壓
VCEO：
- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓
VEBO：
- 6 V
增益帶寬產品fT：
直流集電極/Base Gain hfe
Min：
100 A
安裝風格：
SMD/SMT
封裝/箱體：
PowerFLAT 2 x 2

供應商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
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