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FPDA200V中文資料FILTRONIC數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FPDA200V
廠商型號(hào)

FPDA200V

功能描述

HIGH PERFORMANCE PHEMT WITH SOURCE VIAS

文件大小

57.52 Kbytes

頁面數(shù)量

3

生產(chǎn)廠商 Filtronic Compound Semiconductors
企業(yè)簡稱

FILTRONIC

中文名稱

Filtronic Compound Semiconductors官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2024-12-26 10:19:00

FPDA200V規(guī)格書詳情

DESCRIPTION AND APPLICATIONS

The FPDA200V is an Aluminum Gallium Arsenide / Indium Gallium Arsenide (AlGaAs/InGaAs) Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor (PHEMT), utilizing an Electron-Beam direct write 0.25 mm by 200 mm Schottky barrier gate. The recessed “mushroom” gate structure minimizes parasitic gate-source and gate resistances. The epitaxial structure and processing have been optimized for high dynamic range.

FEATURES

? 21 dBm Output Power at 1-dB Compression at 18 GHz

? 12.5 dB Power Gain at 18 GHz

? 55 Power-Added Efficiency

? Source Vias to Backside Metallization

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FPDA200V

  • 制造商:

    FILTRONIC

  • 制造商全稱:

    FILTRONIC

  • 功能描述:

    HIGH PERFORMANCE PHEMT WITH SOURCE VIAS

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD
16+
MODULE
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