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FP35R12KT4_B11

EconoPIM2 module with fast Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT / NTC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號(hào):

    FP35R12KT4_B11

  • 功能描述:

    IGBT 模塊 IGBT-MODULE

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作溫度:

    + 125 C

  • 封裝/箱體:

    34MM

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
Infineon(英飛凌)
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更多FP35R12KT4_B11供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-5 23:00:00