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FMP2011

Plastic-Encapsulate MOSFETS

DESCRIPTION TheFMP2011usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentR lowgatechargeandoperationwithlowgatevoltage. Thisdeviceissuitableforuseasaloadswitchingapplicationandawidevarietyofotherapplications. DS(on), FEATURES ?AdvancedtrenchMOSFETprocesst

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd

唯圣電子唯圣電子有限公司

FMS2011

SP6TGaAsMulti-BandGSMAntennaSwitch

FILTRONIC

Filtronic Compound Semiconductors

FT2011

3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection

FANGTEKFangtek Ltd.

方泰電子科技上海方泰電子科技有限公司

ft2011A

3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection

FANGTEKFangtek Ltd.

方泰電子科技上海方泰電子科技有限公司

ft2011M

3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection

FANGTEKFangtek Ltd.

方泰電子科技上海方泰電子科技有限公司

ft2011N

3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection

FANGTEKFangtek Ltd.

方泰電子科技上海方泰電子科技有限公司

ft2011P

3WLowEMIClass-DAudioPowerAmplifierwithAuto-RecoveringShort-CircuitProtection

FANGTEKFangtek Ltd.

方泰電子科技上海方泰電子科技有限公司

FTD2011

LoadSwitchingApplications

LoadSwitchingApplications Features ?LowONresistance. ?2.5Vdrive. ?Mountingheight1.1mm. ?Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

FTD2011

DualN-ChannelEnhancementModeMOSFET

■Features ●RDS(ON)=30mΩMax.@VGS=4V ●RDS(ON)=45mΩMax.@VGS=2.5V

KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

科信電子廣東科信實業(yè)有限公司

FTD2011A

NCHANNELMOSSILICONTRANSISTOR

LoadSwitchingApplications Features ?LowON-resistance. ?2.5Vdrive. ?Mountingheight1.1mm. ?Compositetype,facilitatinghigh-densitymounting.

SANYOSanyo Semicon Device

三洋三洋電機株式會社

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更多FMP2011供應(yīng)商 更新時間2025-3-28 11:14:00

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