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FMC7G30US60中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FMC7G30US60
廠商型號

FMC7G30US60
功能描述

Compact & Complex Module
文件大小

662.73 Kbytes
頁面數(shù)量

9 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-5-20 23:00:00
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FMC7G30US60規(guī)格書詳情

General Description

Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) power modules provide low conduction and switching losses as well as short circuit ruggedness. They are designed for applications such as motor control, uninterrupted power supplies (UPS) and general inverters where short circuit ruggedness is a required feature.

Features

? UL Certified No. E209204

? Short circuit rated 10us @ TC = 100°C, VGE = 15V

? High speed switching

? Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.2 V @ IC = 30A

? High input impedance

? Built in brake and 3 phase rectifier circuit

? Fast & soft anti-parallel FWD

Applications

? AC & DC motor controls

? General purpose inverters

? Robotics

? Servo controls

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FMC7G30US60

  • 功能描述：

    IGBT 模塊

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    Infineon Technologies

  • 產(chǎn)品：

    IGBT Silicon Modules

  • 配置：

    Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO：

    600 V

  • 集電極—射極飽和電壓：

    1.95 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流：

    230 A

  • 柵極—射極漏泄電流：

    400 nA

  • 功率耗散：

    445 W

  • 最大工作溫度：

    + 125 C

  • 封裝/箱體：

    34MM

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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