FJNS4207R分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FJNS4207R |
| 參數(shù)屬性 | FJNS4207R 封裝/外殼為TO-226-3，TO-92-3 短體；包裝為卷帶（TR）；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極（BJT）-單預(yù)偏置；產(chǎn)品描述：TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封裝外殼 | TO-226-3，TO-92-3 短體 |
| 文件大小 |
37.41 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Fairchild Semiconductor |
| 企業(yè)簡稱 |
Fairchild【仙童半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-2-28 16:30:00 |
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FJNS4207R規(guī)格書詳情
Switching Application (Bias Resistor Built In)
? Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit
? Built in bias Resistor (R1=22K?, R2=47K?)
? Complement to FJNS3207R
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
FJNS4207RTA
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 單，預(yù)偏置
- 包裝：
卷帶（TR）
- 晶體管類型：
PNP - 預(yù)偏壓
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
68 @ 5mA，5V
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降（最大值）：
300mV @ 500μA，10mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-226-3，TO-92-3 短體
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-92S
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S
