FJD5304D分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個規(guī)格書PDF中文資料

廠商型號 |
FJD5304D |
參數(shù)屬性 | FJD5304D 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極性晶體管(BJT)-單個;產(chǎn)品描述:TRANS NPN 400V 4A TO252AA |
功能描述 | isc Silicon NPN Power Transistor |
封裝外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |
文件大小 |
283.68 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
2 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Inchange Semiconductor Company Limited |
企業(yè)簡稱 |
ISC【無錫固電】 |
中文名稱 | 無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng) |
原廠標識 | ![]() |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-4-11 16:14:00 |
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DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 400V(Min)
·Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat)= 1.0V(Max) @IC=1A
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier,high speed switching and
regulated power supply applications.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號:
FJD5304DTF
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管(BJT)- 單個
- 包裝:
卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
- 晶體管類型:
NPN
- 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):
1.5V @ 500mA,2.5A
- 電流 - 集電極截止(最大值):
100μA
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):
8 @ 2A,5V
- 工作溫度:
150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-252AA
- 描述:
TRANS NPN 400V 4A TO252AA
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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