| 零件編號 | 下載&訂購 | 功能描述 | 制造商&上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | ETLE-Tech Electronics LTD 亞歷電子亞歷電子有限公司 | ETL | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | GTM 勤益投資控股股份有限公司 | GTM | ||
N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET | GTM 勤益投資控股股份有限公司 | GTM | ||
100AvalancheTested | SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd. | SEMIHOW | ||
N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor | LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯電子上海雷卯電子科技有限公司 | LEIDITECH | ||
N-channelEnhancementModePowerMOSFET Features VDS=30V,ID=150A RDS(ON) | BychipBYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED 百域芯深圳市百域芯科技有限公司 | Bychip | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
N-ChannelMOSFET | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司 | KEXIN | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VHGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss=5000pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) ?Designedfor | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?100RgandUISTested ?ComplianttoRoHSDirective2011/65/EU APPLICATIONS ?OR-ing ?Server ?DC/DC | VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司 | VBSEMI | ||
MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP90N03VLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features ?Lowon-stateresistance ?RDS(on)1=3.2mΩMAX.(VGS=10V,ID=45A) ?RDS(on)2=8.0mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=35A) ?Lowinputcapacitance ?Ciss | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
ProductScoutAutomotive | RENESASRenesas Technology Corp 瑞薩瑞薩科技有限公司 | RENESAS | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=90A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3.2mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司 | ISC |
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FIRST/福斯特 |
23+ |
TO-220 |
10000 |
公司只做原裝正品 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
2022 |
TO-220 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
2022+ |
TO-220 |
2000 |
原廠代理 終端免費提供樣品 |
詢價 | ||
First |
TO-220 |
68900 |
原包原標簽100%進口原裝常備現(xiàn)貨! |
詢價 | |||
apec |
2023+ |
TO-220 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),絕對原裝 假一罰十 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
24+23+ |
TO-220 |
12580 |
16年現(xiàn)貨庫存供應(yīng)商終端BOM表可配單提供樣品 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
23+ |
NA/ |
53250 |
原裝現(xiàn)貨,當天可交貨,原型號開票 |
詢價 | ||
FIRST/福斯特 |
2022+ |
TO-220 |
30000 |
進口原裝現(xiàn)貨供應(yīng),原裝 假一罰十 |
詢價 |
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