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FGY75T95SQDT分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
FGY75T95SQDT |
參數(shù)屬性 | FGY75T95SQDT 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 950V 75A |
功能描述 | IGBT - Field Stop, Trench 75 A, 950 V |
文件大小 |
596.81 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-11-20 17:15:00 |
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FGY75T95SQDT屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGY75T95SQDT晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FGY75T95SQDT
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.11V @ 15V,75A
- 開關(guān)能量:
8.8mJ(開),3.2mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
28.8ns/117ns
- 測試條件:
600V,75A,4.7 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-3
- 描述:
IGBT 950V 75A
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ONN |
2405+ |
原廠封裝 |
300 |
只做原裝優(yōu)勢現(xiàn)貨庫存 渠道可追溯 |
詢價 | ||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒號只做原裝 現(xiàn)貨價秒殺全網(wǎng) |
詢價 | ||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
進口原裝 假一罰十 現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
TO-247-3 |
16457 |
公司只做原裝正品,假一賠十 |
詢價 | ||
onsemi/安森美 |
新批次 |
TO-247 |
4500 |
詢價 | |||
FUJI |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢價 | ||
FUJI |
23+ |
標(biāo)準(zhǔn)封裝 |
5000 |
原廠授權(quán)一級代理 IGBT模塊 可控硅 晶閘管 熔斷器質(zhì)保 |
詢價 | ||
onsemi(安森美) |
23+ |
TO-247 |
1224 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
ON(安森美) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
onsemi |
24+ |
TO-247-3 |
9350 |
獨立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費試樣正品保證 |
詢價 |