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FGM623S分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGM623S
廠商型號

FGM623S

參數(shù)屬性

FGM623S 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為卷帶(TR);類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 30A 60W TO3PF

功能描述

Trench IGBT

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

266.64 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-1 23:00:00

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FGM623S規(guī)格書詳情

FEATURES

· Low Saturation Voltage

· High Speed Switching

APPLICATIONS

· Partial switching PFC circuit:

· Power Conditioner

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    FGM623S

  • 制造商:

    Sanken

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    卷帶(TR)

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 15V,30A

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    100ns/300ns

  • 測試條件:

    300V,30A,39 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT 600V 30A 60W TO3PF

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