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FGH75T65SQD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
FGH75T65SQD |
參數(shù)屬性 | FGH75T65SQD 封裝/外殼為TO-247-4;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:650V/75 FAST IGBT FSIII T |
功能描述 | IGBT - Field Stop, Trench 650 V, 75 A |
封裝外殼 | TO-247-4 |
文件大小 |
532.54 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | ON Semiconductor |
企業(yè)簡稱 |
ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 安森美半導(dǎo)體公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-26 11:30:00 |
FGH75T65SQD規(guī)格書詳情
FGH75T65SQD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由安森美半導(dǎo)體公司制造生產(chǎn)的FGH75T65SQD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FGH75T65SQDNL4
- 制造商:
onsemi
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.1V @ 15V,75A
- 開關(guān)能量:
1.25mJ(開),1.26mJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
44ns/208ns
- 測試條件:
400V,75A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-247-4
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-247-4L
- 描述:
650V/75 FAST IGBT FSIII T
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO247 |
880000 |
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
ON 實單看這里 |
21+ |
TO247 |
6000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
ON/安森美 |
22+ |
TO-3PF- |
9000 |
原裝正品 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
TO247 |
9600 |
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80000 |
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ON/安森美 |
23+ |
TO247 |
10000 |
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FSC |
19+ |
TO-247 |
71361 |
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詢價 | ||
三年內(nèi) |
1983 |
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FAIRCHILD/仙童 |
2021+ |
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