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FGH30N60LSDTU 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 ONSEMI/安森美半導體

FGH30N60LSDTU參考圖片

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原廠料號：FGH30N60LSDTU品牌：ON/安森美

授權代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售

FGH30N60LSDTU是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ON/安森美/onsemi生產(chǎn)封裝TO-247-3的FGH30N60LSDTU晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    FGH30N60LSDTU

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    FAIRCHILD【仙童半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    Fairchild Semiconductor

  • 中文名稱：

    飛兆/仙童半導體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大?。?/span>

    714.63 kb

  • 資料說明：

    Low saturation voltage: VCE(sat) =1.1V @ IC = 30A

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    FGH30N60LSDTU

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    1.4V @ 15V，30A

  • 開關能量：

    1.1mJ（開），21mJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    18ns/250ns

  • 測試條件：

    400V，30A，6.8 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 600V 60A TO247-3

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市興燦科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    周先生

  • 手機：

    18924609622

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-23942131

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道振興路新欣大廈B座5樓585室

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