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FGH20N6S2D	文件：232.38 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Stealth Diode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH20N6S2D	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包裝：管件類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單描述：IGBT 600V 28A 125W TO247	ONSEMION Semiconductor 安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司	ONSEMI
20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGB20N6S2	文件：183.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGB20N6S2D	文件：232.38 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthTMDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGB20N6S2D	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGB20N6S2DT	文件：231.95 Kbytes Page：9 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelStealthDiode GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGH20N6S2	文件：183.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FGP20N6S2	文件：183.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSIISeriesN-ChannelIGBT GeneralDescription TheFGH20N6S2DFGP20N6S2D,FGB20N6S2DareLowGateCharge,LowPlateauVoltageSMPSIIIGBTscombiningthefastswitchingspeedoftheSMPSIGBTsalongwithlowergatecharge,plateauvoltageandhighavalanchecapability(UIS). TheseLGCdevicesshortendelaytimes,andre	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild

產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品編號：
FGH20N6S2D
制造商：
onsemi
類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.7V @ 15V，7A
開關(guān)能量：
25μJ（開），58μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
7.7ns/87ns
測試條件：
390V，7A，25 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT 600V 28A 125W TO247

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