首頁>FGB30N6S2D>規(guī)格書詳情
FGB30N6S2D中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
FGB30N6S2D規(guī)格書詳情
General Description
The FGH30N6S2D, FGP30N6S2D, and FGB30N6S2D are Low Gate Charge, Low Plateau Voltage SMPS II IGBTs combining the fast switching speed of the SMPS IGBTs along with lower gate charge and plateau voltage and avalanche capability (UIS). These LGC devices shorten delay times, and reduce the power requirement of the gate drive.
Features
? 100kHz Operation at 390V, 14A
? 200kHZ Operation at 390V, 9A
? 600V Switching SOA Capability
? Typical Fall Time. . . . . . . . . . . 90ns at TJ = 125°C
? Low Gate Charge . . . . . . . . . 23nC at VGE = 15V
? Low Plateau Voltage . . . . . . . . . . . . .6.5V Typical
? UIS Rated . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mJ
? Low Conduction Loss
產(chǎn)品屬性
- 型號：
FGB30N6S2D
- 功能描述：
IGBT 晶體管 Dl 600V Size 3 N-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集電極—發(fā)射極最大電壓
- VCEO：
650 V
- 集電極—射極飽和電壓：
2.3 V
- 柵極/發(fā)射極最大電壓：
20 V 在25
- C的連續(xù)集電極電流：
150 A
- 柵極—射極漏泄電流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封裝/箱體：
TO-247
- 封裝：
Tube
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
NA/ |
7500 |
優(yōu)勢代理渠道,原裝正品,可全系列訂貨開增值稅票 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費! |
詢價 | ||
Fairchild仙童 |
22+ |
TO263AB |
25000 |
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
22+23+ |
TO263 |
24055 |
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進(jìn)口現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
2022 |
SOT-263 |
80000 |
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢 |
詢價 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
35200 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | |||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
10000 |
原廠授權(quán)一級代理,專業(yè)海外優(yōu)勢訂貨,價格優(yōu)勢、品種 |
詢價 | |||
FAI |
23+ |
65480 |
詢價 | ||||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-263 |
53818 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 |
