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FGAF40N60UF分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

FGAF40N60UF
廠商型號(hào)

FGAF40N60UF

參數(shù)屬性

FGAF40N60UF 封裝/外殼為TO-3P-3 整包;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 40A TO3PF

功能描述

IGBT

封裝外殼

TO-3P-3 整包

文件大小

387.02 Kbytes

頁面數(shù)量

2

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-11 8:00:00

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FGAF40N60UF規(guī)格書詳情

DESCRIPTION

· Low Saturation Voltage:VCE(sat)=3.0V@IC=20A

· High Speed Switching

· Low Power Loss

APPLICATIONS

· General Inverter

· PFC

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    FGAF40N60UFTU

  • 制造商:

    onsemi

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    3V @ 15V,20A

  • 開關(guān)能量:

    470μJ(開),130μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    15ns/65ns

  • 測試條件:

    300V,20A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-3P-3 整包

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-3PF

  • 描述:

    IGBT 600V 40A TO3PF

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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6000
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