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FGA25N120ANTDTU-F109 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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  • 廠家型號(hào)：

    FGA25N120ANTDTU-F109

  • 產(chǎn)品分類：

    IC芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

  • 庫存數(shù)量：

    1983

  • 產(chǎn)品封裝：

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    三年內(nèi)

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時(shí)間：

    2024-12-22 15:08:00

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原廠料號(hào)：FGA25N120ANTDTU-F109

只做原裝正品

  • 芯片型號(hào)：

    FGA25N120ANTDTU-F109

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    ONSEMI【安森美半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    ON Semiconductor

  • 中文名稱：

    安森美半導(dǎo)體公司

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    9 頁

  • 文件大小：

    1388.61 kb

  • 資料說明：

    1200 V, 25 A NPT Trench IGBT

產(chǎn)品參考屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    FGA25N120ANTDTU-F109

  • 制造商：

    onsemi

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    NPT 和溝道

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.65V @ 15V，50A

  • 開關(guān)能量：

    4.1mJ（開），960μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    50ns/190ns

  • 測試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-3P

  • 描述：

    IGBT 1200V 50A 312W TO3P

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市納立科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    張先生

  • 手機(jī)：

    13590203865

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    13590203865/0755-88606580

  • 傳真：

    0755-88606580

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北振興路賽格科技園四棟中12樓A4-2M室

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