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FFSH20120A_V01

Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode – EliteSiC, 20 A, 1200 V, D1, TO-247-2L

Description SiliconCarbide(SiC)SchottkyDiodesuseacompletelynew technologythatprovidessuperiorswitchingperformanceandhigher reliabilitycomparedtoSilicon.Noreverserecoverycurrent, temperatureindependentswitchingcharacteristics,andexcellent thermalperformancesetsSil

ONSEMION Semiconductor

安森美半導(dǎo)體安森美半導(dǎo)體公司

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更多FFSH20120A_V01供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-4-10 16:49:00

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