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FF2MR12KM1HP分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
FF2MR12KM1HP |
參數(shù)屬性 | FF2MR12KM1HP 封裝/外殼為模塊;包裝為托盤;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊;產(chǎn)品描述:MEDIUM POWER 62MM |
功能描述 | 62 mm C-Series module with CoolSiC? Trench MOSFET and pre-applied thermal interface material |
封裝外殼 | 模塊 |
文件大小 |
734.3 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
16 頁 |
生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
原廠標(biāo)識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2025-1-12 9:15:00 |
FF2MR12KM1HP規(guī)格書詳情
FF2MR12KM1HP屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF2MR12KM1HP晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件,主要用作電子開關(guān),兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊,IGBT 配置為非對稱式橋; 升壓、降壓和制動斬波器;全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進(jìn)行區(qū)分。
Features
? Electrical features
- VDSS = 1200 V
- IDN = 420 A / IDRM = 840 A
- High current density
- Low switching losses
? Mechanical features
- 4 kV AC 1 min insulation
- Pre-applied thermal interface material
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
FF2MR12KM1HP
- 制造商:
Infineon Technologies
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝:
托盤
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 配置:
半橋
- 輸入:
標(biāo)準(zhǔn)
- NTC 熱敏電阻:
無
- 安裝類型:
底座安裝
- 封裝/外殼:
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝:
AG-62MM
- 描述:
MEDIUM POWER 62MM
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
英飛凌 |
21+ |
AG-62MM |
6000 |
絕對原裝現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
EUPEC |
23+24 |
PIM |
2980 |
模塊專業(yè)供貨,優(yōu)勢現(xiàn)貨,價格市場最優(yōu)! |
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INFINEON |
23+ |
NA |
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21+ |
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INFINEON專賣,進(jìn)口原裝深圳現(xiàn)貨 |
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INFINEON |
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原裝現(xiàn)貨,價格優(yōu)惠 |
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INFINEON |
24+ |
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查現(xiàn)貨到京北通宇商城 |
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EUPLE |
23+ |
模塊 |
3562 |
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INFINEON |
23+ |
GOOP |
7000 |
詢價 | |||
Infineon |
24+ |
mokuai |
717 |
專注原裝正品代理分銷,認(rèn)準(zhǔn)水星電子 |
詢價 |