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FF2MR12KM1H分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
FF2MR12KM1H |
| 參數(shù)屬性 | FF2MR12KM1H 封裝/外殼為模塊；包裝為托盤；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊；產(chǎn)品描述：MEDIUM POWER 62MM |
| 功能描述 | 62 mm C-Series module with CoolSiC? Trench MOSFET |
| 文件大小 |
749.15 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
16 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Infineon Technologies AG |
| 企業(yè)簡稱 |
Infineon【英飛凌】 |
| 中文名稱 | 英飛凌科技股份公司官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-24 23:00:00 |
FF2MR12KM1H規(guī)格書詳情
FF2MR12KM1H屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-IGBT-模塊。由英飛凌科技股份公司制造生產(chǎn)的FF2MR12KM1H晶體管 - IGBT - 模塊絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 是三端功率半導(dǎo)體器件，主要用作電子開關(guān)，兼具高效率和快速切換優(yōu)點。作為模塊，IGBT 配置為非對稱式橋； 升壓、降壓和制動斬波器；全橋、三電平和三相逆變器。有些器件內(nèi)置了用于監(jiān)控溫度的 NTC 熱敏電阻。IGBT 模塊可根據(jù)最大功率、集電極電流、集射擊穿電壓和配置進行區(qū)分。
Features
? Electrical features
- VDSS = 1200 V
- IDN = 420 A / IDRM = 840 A
- High current density
- Low switching losses
? Mechanical features
- 4 kV AC 1 min insulation
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
FF2MR12KM1H
- 制造商：
Infineon Technologies
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - IGBT - 模塊
- 包裝：
托盤
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 配置：
半橋
- 輸入：
標準
- NTC 熱敏電阻：
無
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
模塊
- 供應(yīng)商器件封裝：
AG-62MM
- 描述：
MEDIUM POWER 62MM
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飛凌) |
23+ |
AG62mm |
7350 |
現(xiàn)貨供應(yīng),當天可交貨!免費送樣,原廠技術(shù)支持!!! |
詢價 | ||
INFINEON |
2016+ |
模塊 |
985 |
只做原裝現(xiàn)貨!或訂貨! |
詢價 | ||
23+ |
MODULE |
7300 |
專注配單,只做原裝進口現(xiàn)貨 |
詢價 | |||
Infineon |
23+ |
AG-62MMHB |
15500 |
英飛凌優(yōu)勢渠道全系列在售 |
詢價 | ||
EUPLE |
23+ |
模塊 |
3562 |
詢價 | |||
16+ |
MODULE |
2100 |
公司大量全新現(xiàn)貨 隨時可以發(fā)貨 |
詢價 | |||
INF |
24+ |
80 |
詢價 | ||||
INFINEON/英飛凌 |
2021+ |
45000 |
十年專營原裝現(xiàn)貨,假一賠十 |
詢價 | |||
Infineon |
23+ |
Tray |
500 |
原裝正品 |
詢價 | ||
EUPEC |
23+ |
MODULE |
44292 |
##公司主營品牌長期供應(yīng)100%原裝現(xiàn)貨可含稅提供技術(shù) |
詢價 |
