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FDT459N	文件：89.39 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance.Thesep	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司	Fairchild
FMMT459	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT459	文件：44.41 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNHighVoltageSwitchingTransistor ■Features ●6Vreverseblockingcapability ●Lowsaturationvoltage-90mV@50mA ●IC=150mAcontinuous	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN
FMMT459	文件：236.93 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TA	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TA	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT459TA	文件：236.93 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TC	文件：196.34 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
FMMT459TC	文件：169.74 Kbytes Page：6 Pages	450VSILICONNPNHIGHVOLTAGESWITCHINGTRANSISTOR Summary V(BR)CEV>500V V(BR)ECV>6V Ic(cont)=150mA Vce(sat)=70mV@50mA Description Thisnewhighvoltagetransistorprovidesuserswithveryefficientperformance,combininglowVCE(SAT)highHfetogiveextremelylowonstatelossesat500Voperation,makingitidealforuseinhi	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
FMMT459TC	文件：236.93 Kbytes Page：6 Pages	500VSiliconNPNhighvoltageswitchingtransistor	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
HMC459	文件：258.339 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-18.0GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC459	文件：277.64 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-18GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC459	文件：397.57 Kbytes Page：8 Pages	TelecomInfrastructure	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC459	文件：923.69 Kbytes Page：11 Pages	TelecomInfrastructure	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC459	文件：287.59 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMICPOWERAMPLIFIER,DC-18GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC-459	文件：1.19059 Mbytes Page：22 Pages	ActiveBiasControllerHighCurrent	ADAnalog Devices 亞德諾亞德諾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司	AD
HMC-ALH459	文件：221.8 Kbytes Page：6 Pages	GaAsHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,71-86GHz GeneralDescription TheHMC-ALH459isathreestageGaAsHEMTMMICLowNoiseAmplifier(LNA)whichoperatesbetween71and86GHz.TheHMC-ALH459features14dBofsmallsignalgain,4.5dBofnoisefigureandanoutputpowerof+7dBmat1dBcompressionfromtwosupplyvoltagesat2.1Vand2.4	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
ISCN459T	文件：396.32 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·DrainCurrent–ID=240A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·Switchingconverters,motordriver,relaydriver ·Pow	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
KMMT459	文件：1.47643 Mbytes Page：4 Pages	NPNTransistors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信電子廣東科信實業(yè)有限公司	KEXIN

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詳細參數(shù)

型號：
FDT459N
功能描述：
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶體管極性：
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓：
650 V
閘/源擊穿電壓：
25 V
漏極連續(xù)電流：
130 A 電阻汲極/源極
RDS（導(dǎo)通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安裝風(fēng)格：
Through Hole
封裝/箱體：
Max247
封裝：
Tube

供應(yīng)商	型號	品牌	批號	封裝	庫存	備注	價格
深圳市金華微盛電子有限公司	FDT459N	ON/安森美	2019+	SOT-223	78550	原廠渠道可含稅出貨	詢價
深圳市坤融電子科技有限公司	FDT459N	FAIRCHILD/仙童	24+	SOT-223	500	只做原廠渠道可追溯貨源	詢價
深圳市高捷芯城科技有限公司	FDT459N	onsemi(安森美)	23+	SOT-223-4	9555	支持大陸交貨,美金交易。原裝現(xiàn)貨庫存。	詢價
深圳市匯萊威科技有限公司	FDT459N	ON/安森美	24+	SOT-223	505243	免費送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系	詢價
深圳市中福國際管理有限公司	FDT459N	ONSEMI/安森美	23+	SOT-223	4000	專業(yè)供應(yīng)MOS/LDO/晶體管/有大量價格低	詢價
千層芯半導(dǎo)體(深圳)有限公司	FDT459N	Fairchi	24+	SOT223	6000	進口原裝正品假一賠十,貨期7-10天	詢價
深圳市勤思達科技有限公司	FDT459N	FAIRC	1415+	SOT-223	28500	全新原裝正品,優(yōu)勢熱賣	詢價
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	FDT459N	FAICHILD	24+	SOT223	15000		詢價
深圳市永貝爾科技有限公司	FDT459N	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做進口原裝,終端工廠免費送樣	詢價
深圳市達恩科技有限公司	FDT459N	ONSemiconductor	18+	NA	3000	進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)QQ3171516190	詢價

更多FDT459N供應(yīng)商更新時間2024-12-23 13:30:00

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