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FDS9412中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FDS9412
廠商型號(hào)

FDS9412

功能描述

Single N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件大小

230.81 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-28 14:54:00

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FDS9412規(guī)格書(shū)詳情

General Description

This N-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

Features

? 7.9 A, 30 V. RDS(ON) = 22 m? @ VGS = 10 V

RDS(ON) = 36 m? @ VGS = 4.5 V

? Very low gate charge.

? High switching speed

? High performance trench technology for extremely

low RDS(ON)

? High power and current handling capability in a

widely used surface mount package.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDS9412

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 SGL N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
FAIRCHILD
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