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FDS4953中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDS4953
廠商型號

FDS4953

功能描述

Dual P-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET

文件大小

249.3 Kbytes

頁面數(shù)量

8

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-4-10 1:10:00

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FDS4953規(guī)格書詳情

General Description

This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of gave drive voltage ratings (4.5V – 25V).

Features

· –5 A, –30 V RDS(ON) = 55 mW @ VGS = –10 V

RDS(ON) = 95 mW @ VGS = –4.5 V

· Low gate charge (6nC typical)

· Fast switching speed

· High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

· High power and current handling capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號:

    FDS4953

  • 功能描述:

    MOSFET SO-8 P-CH DUAL -30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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