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FDPF12N35中文資料仙童半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

FDPF12N35
廠商型號

FDPF12N35
功能描述

350V N-Channel MOSFET
文件大小

464.23 Kbytes
頁面數(shù)量

10 頁
生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡稱

Fairchild【仙童半導體】

中文名稱

飛兆/仙童半導體公司官網(wǎng)
原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-3 19:55:00
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FDPF12N35規(guī)格書詳情

Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar stripe, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficient switched mode power supplies and active power factor correction.

Features

? 12A, 350V, RDS(on) = 0.38Ω @VGS = 10 V

? Low gate charge ( typical 18 nC)

? Low Crss ( typical 15 pF)

? Fast switching

? Improved dv/dt capability

產(chǎn)品屬性

  • 型號：

    FDPF12N35

  • 功能描述：

    MOSFET 350V N-Ch MOSFET

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
VBsemi
21+
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