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FDP39N20中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDP39N20
廠商型號(hào)

FDP39N20

功能描述

DESIGN/PROCESS CHANGE NOTIFICATION

文件大小

298.83 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

14 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-10 23:00:00

FDP39N20規(guī)格書詳情

Description

SuperFET?II MOSFET is Fairchild Semiconductor?’s first generation of high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance.This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFETII MOSFET is suitable for various AC/DC power conversion for system miniaturization and higher efficiency.

Features

? 650 V @TJ = 150°C

? Max. RDS(on) = 380 mΩ

? Ultra Low Gate Charge ( Typ. Qg = 34 nC)

? Low Effective Output Capacitance ( Typ. Coss.eff = 97 pF)

? 100 Avalanche Tested

Applications

? LCD / LED / PDP TV Lighting

? Solar Inverter

? AC-DC Power Supply

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDP39N20

  • 功能描述:

    MOSFET SINGLE N-CH 200V ULTRAFET TRENCH

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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