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FDN352AP中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)

FDN352AP
廠商型號(hào)

FDN352AP

功能描述

Single P-Channel, PowerTrench

文件大小

118.89 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-9 16:20:00

FDN352AP規(guī)格書(shū)詳情

General Description

This P-Channel Logic Level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Features

■ –1.3 A, –30V RDS(ON) = 180 m? @ VGS = –10V

–1.1 A, –30V RDS(ON) = 300 m? @ VGS = –4.5V

■ High performance trench technology for extremely low RDS(ON).

■ High power version of industry Standard SOT-23 package. Identical pin-out to SOT-23 with 30 higher power handling capability.

Applications

■ Notebook computer power management

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDN352AP

  • 功能描述:

    MOSFET SINGLE PCH TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ONSEMI
18+ROHS
NA
20000
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