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FDN337N中文資料友臺(tái)半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDN337N
廠商型號(hào)

FDN337N

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

絲印標(biāo)識(shí)

337

封裝外殼

SOT-23

文件大小

419.81 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Guangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd.
企業(yè)簡(jiǎn)稱

UMW友臺(tái)半導(dǎo)體

中文名稱

廣東友臺(tái)半導(dǎo)體有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-4-9 9:49:00

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FDN337N規(guī)格書詳情

Features

High density cell design for extremely low RDS(ON).

Exceptional on-resistance and maximum DC current capability.

VDS (V) = 30V

D= 2.2A (VGS=4.5V)

RDS(ON) < 65m (VGS = 4.5V)

RDS(ON) < 82m (VGS = 2.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDN337N

  • 功能描述:

    MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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SOT23
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