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FDN306_NSC/美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體_MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V宇航軍工
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號(hào):
FDN306
- 功能描述:
MOSFET P-Ch PowerTrench Specified 1.8V
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導(dǎo)通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風(fēng)格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳宇航軍工半導(dǎo)體有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
Alan
- 手機(jī):
13316570454
- 詢價(jià):
- 電話:
13316570454
- 地址:
深圳市福田區(qū)荔村社區(qū)2008號(hào)華聯(lián)發(fā)綜合樓811
相近型號(hào)
- FDN305
- FDN306PCT
- FDN306PIC
- FDN306P-NL
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- FDN306P-VB
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