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FDMS86101_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 100/20V Nch Power Trench正納電子二部
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
原廠料號:FDMS86101品牌:ON
原裝正品可支持驗貨,歡迎咨詢
- 芯片型號:
FDMS86101
- 規(guī)格書:
- 企業(yè)簡稱:
ONSEMI【安森美半導體】詳情
- 廠商全稱:
ON Semiconductor
- 中文名稱:
安森美半導體公司
- 內(nèi)容頁數(shù):
10 頁
- 文件大?。?/span>
561.648 kb
- 資料說明:
類型:N溝道 漏源電壓(Vdss):100V 連續(xù)漏極電流(Id):12.4A 功率(Pd):2.5W 導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):8mΩ@10V,13A N 溝道,PowerTrench MOSFET,100V,60A,8mΩ 此 N 溝道 MOSFET 是使用先進的 PowerTrench 工藝生產(chǎn)的,特別適用于最大程度降低導通電阻,同時保持卓越的
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDMS86101
- 功能描述:
MOSFET 100/20V Nch Power Trench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市正納電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
蘇S
- 手機:
13530813522
- 詢價:
- 電話:
0755-83790645(24小時)
- 傳真:
0755-83200684
- 地址:
深圳市福田區(qū)振興路113號新欣大廈B座318
相近型號
- FDMS8333L
- FDMS86105
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