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FDI3652中文資料無錫固電數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDI3652
廠商型號(hào)

FDI3652

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

325.35 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

2 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Inchange Semiconductor Company Limited
企業(yè)簡(jiǎn)稱

ISC無錫固電

中文名稱

無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-1-18 23:00:00

FDI3652規(guī)格書詳情

FEATURES

·Drain Current –ID= 61A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS=100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 16mΩ(Max)

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·Designed for use in switch mode power su pplies and general

purpose applications.

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDI3652

  • 功能描述:

    MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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