首頁(yè)>FDG6335N>規(guī)格書詳情

FDG6335N中文資料仙童半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDG6335N
廠商型號(hào)

FDG6335N

功能描述

20V N & P-Channel PowerTrench MOSFETs

文件大小

66.23 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

5 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Fairchild Semiconductor
企業(yè)簡(jiǎn)稱

Fairchild仙童半導(dǎo)體

中文名稱

飛兆/仙童半導(dǎo)體公司官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時(shí)間

2025-1-18 20:00:00

FDG6335N規(guī)格書詳情

General Description

This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized use in small switching regulators, providing an extremely low RDS(ON) and gate charge (QG) in a small package.

Features

? 0.7 A, 20 V.

RDS(ON) = 300 mW @ VGS = 4.5 V

RDS(ON) = 400 mW @ VGS = 2.5 V

? Low gate charge (1.1 nC typical)

? High performance trench technology for extremely low RDS(ON)

? Compact industry standard SC70-6 surface mount package

Applications

? DC/DC converter

? Power management

? Loadswitch

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDG6335N

  • 功能描述:

    MOSFET FDG6335N

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ON/安森美
23+
SOT-363
54258
全新原廠原裝正品現(xiàn)貨,可提供技術(shù)支持、樣品免費(fèi)!
詢價(jià)
ON/安森美
19+
NA
56990
詢價(jià)
ON/安森美
2023
50000
公司原裝現(xiàn)貨/支持實(shí)單
詢價(jià)
FAIRCHILD
23+
SC70-6
20000
原廠原裝正品現(xiàn)貨
詢價(jià)
onsemi(安森美)
23+
SOT3636(SC706)
6000
誠(chéng)信服務(wù),絕對(duì)原裝原盤
詢價(jià)
ON/安森美
22+
SC-70-6
354000
詢價(jià)
FAIRCHILD
24+
SOT-363
26500
一級(jí)代理/全新原裝現(xiàn)貨/長(zhǎng)期供應(yīng)!
詢價(jià)
FSC
24+
SMD
12000
原廠/代理渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì)
詢價(jià)
FSC
23+
SOT363
999999
原裝正品現(xiàn)貨量大可訂貨
詢價(jià)
ON/安森美
24+
SOT-363
505348
免費(fèi)送樣原盒原包現(xiàn)貨一手渠道聯(lián)系
詢價(jià)