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FDD8896中文資料翊歐數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

FDD8896
廠商型號(hào)

FDD8896

功能描述

30V N-Channel MOSFET

文件大小

345.25 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

7 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED
企業(yè)簡(jiǎn)稱

EVVOSEMI翊歐

中文名稱

翊歐半導(dǎo)體官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 19:39:00

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FDD8896規(guī)格書詳情

Description

This N-Channel MOSFET has been designed

specifically to improve the overall efficiency of DC/

DC converters using either synchronous or

conventional switching PWM controllers. It has

been optimized for low gate charge, low rDS(ON) and

fast switching speed.

Features

VDS (V) = 30V

ID = 35A (VGS = 10V)

RDS(ON) =5.7mW (VGS = 10V)

RDS(ON) =6.8mW (VGS = 4.5V)

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    FDD8896

  • 功能描述:

    MOSFET 30V N-Channel PowerTrench

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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