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FDD6688_ONSEMI/安森美半導體_MOSFET 30V N-Ch PowerTrench華博特電子
- 詳細信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品屬性
- 類型
描述
- 型號:
FDD6688
- 功能描述:
MOSFET 30V N-Ch PowerTrench
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶體管極性:
N-Channel
- 汲極/源極擊穿電壓:
650 V
- 閘/源擊穿電壓:
25 V
- 漏極連續(xù)電流:
130 A 電阻汲極/源極
- RDS(導通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安裝風格:
Through Hole
- 封裝/箱體:
Max247
- 封裝:
Tube
供應商
- 企業(yè):
深圳市華博特電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
代理商
- 手機:
13632684063
- 詢價:
- 電話:
13632684063
- 地址:
深圳市福田區(qū)振中路與中航路交匯處新亞洲國利大廈1202
相近型號
- FDD6680S
- FDD6692
- FDD6680AS
- FDD6696
- FDD6680A-NL
- FDD6680A
- FDD6760
- FDD6680
- FDD6760A
- FDD6676AS
- FDD6770A
- FDD6676A
- FDD6778A
- FDD6676
- FDD6780
- FDD6672A
- FDD6780A
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- FDD6782A
- FDD6670AL
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- FDD6670
- FDD6637-F085
- FDD6N20
- FDD6637
- FDD6N20TF
- FDD6635
- FDD6N20TM
- FDD6632
- FDD6N25
- FDD6630A
- FDD6N25TF
- FDD6612A
- FDD6N25TM
- FDD6612
- FDD6N50
- FDD6606-NLMOS
- FDD6N50F
- FDD6N50FTM
- FDD6606
- FDD6530A
- FDD6N50RTF
- FDD6512A
- FDD6N50TM
- FDD6296-NL
- FDD6N50TM-F085
- FDD6296MOS